收藏本站
IXFA10N60P
IXFP10N60P
10
Fig. 1. Output Characteristics @ T J = 25oC
24
Fig. 2. Extended Output Characteristics @ T J = 25oC
9
8
7
V GS = 10V
7V
6V
20
16
V GS = 10V
7V
6
5
4
3
2
1
0
5V
12
8
4
0
6V
5V
0
1
2
3
4
5
6
7
0
5
10
15
20
25
30
10
V DS - Volts
Fig. 3. Output Characteristics @ T J = 125oC
2.6
V DS - Volts
Fig. 4. R DS(on) Normalized to I D = 5A Value vs.
Junction Temperature
9
8
7
6
V GS = 10V
6V
2.4
2.2
2.0
1.8
1.6
V GS = 10V
I D = 10A
I D = 5A
5
1.4
4
3
2
1
0
5V
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
3.0
V DS - Volts
Fig. 5. R DS(on) Normalized to I D = 5A Value vs.
Drain Current
V GS = 10V
12
T J - Degrees Centigrade
Fig. 6. Maximum Drain Current vs.
Case Temperature
2.6
2.2
1.8
1.4
1.0
0.6
T J = 125oC
T J = 25oC
10
8
6
4
2
0
0
5
10
15
20
25
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
I D - Amperes
? 2010 IXYS CORPORATION, All Rights Reserved
T C - Degrees Centigrade
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。

采购需求

(若只采购一条型号，填写一行即可)

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

*型号 *数量 厂商 批号 封装
添加更多采购

我的联系方式

*
*
*
相关PDF资料
IXFA110N15T2 MOSFET N-CH 150V 110A D2PAK
IXFA12N50P MOSFET N-CH 500V 12A D2-PAK
IXFA130N10T2 MOSFET N-CH 100V 130A TO-263AA
IXFA130N10T MOSFET N-CH 100V 130A D2PAK
IXFA16N50P MOSFET N-CH 500V 16A D2-PAK
IXFA230N075T2-7 MOSFET N-CH 75V 230A TO-263-7
IXFA230N075T2 MOSFET N-CH 75V 230A TO-263AA
IXFA3N120 MOSFET N-CH 1200V 3A TO-263
相关代理商/技术参数
IXFA10N80P 功能描述:MOSFET 10 Amps 800V 1.1 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXFA110N15T2 功能描述:MOSFET 110Amps 150V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXFA12N50P 功能描述:MOSFET 500V 12A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXFA130N10T 功能描述:MOSFET 130 Amps 100V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXFA130N10T2 功能描述:MOSFET Trench T2 HiperFET Power MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXFA14N60P 功能描述:MOSFET 600V 14A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXFA14N60P3 功能描述:MOSFET Polar3 HiPerFETs MOSFET w/Fast Diode RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXFA16N50P 功能描述:MOSFET 500V 16A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube